Le boîtier PowerPAK 8x8L de Vishay se révèle avantageux en termes d’encombrement et de pertes énergétiques. Le premier transistor de puissance en tirant profit est le SQJQ402E, un Mosfet de 40V qualifié AEC-Q101.
Vishay Intertechnolgy introduit un nouveau boîtier PowerPAK de 8x8x1,8mm, annoncé comme plus performant que les traditionnels DPAK et D²PAK utilisés en milieu automobile. Le premier TrenchFET tirant profit de ce PowerPAK 8x8L est un modèle de 40V estampillé SQJQ402E.
Qualifié AEC-Q101, ce Mosfet de puissance canal N supporte une température de jonction de +175°C et un courant de drain de 200A à 25°C (127A à 125°C). Sa résistance à l’état passant n’excède pas 1,5 mOhm à VGS=10V et 1,8 mOhm à 4,5V.
Selon la société, par rapport aux transistors en boîtiers D²PAK offrant la même RDS(on), le SQJQ402E affiche une tenue en courant supérieure, ainsi qu’une empreinte et une épaisseur réduites de 60%.
