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Infineon démarre la production en volume d'un module de puissance tout SiC

Rédigé par  mardi, 16 mai 2017 10:11
Infineon démarre la production en volume d'un module de puissance tout SiC

Le module de puissance Easy 1B met à profit les Mosfet CoolSic 1200V en carbure de silicium de l'allemand.

A l'occasion du salon PCIM, qui vient d'ouvrir ses portes à Nuremberg, Infineon Technologies a annoncé la mise en production d'un module de puissance exploitant uniquement des composants en carbure de silicium. Ce module Easy 1B en demi-pont intègre les puces Mosfet CoolSiC 1200 V en tranchée de la société. Chaque transistor est ici pourvu d'une diode intrinsèque faisant office de roue libre.

Egalement proposés sous une forme discrète (boîtiers TO-247-3 et TO-247-4 avec connexion Kelvin), ces Mosfet affichent des pertes dynamiques bien inférieures aux traditionnels IGBT en silicium. Ils ciblent notamment les onduleurs solaires, les alimentations secourues (UPS) et les systèmes de charge de batterie et de stockage de l'énergie. Lors de la même manifestation, l'allemand présente différentes plates-formes modulaires (modules Easy 1B en topologie "six pack", Easy 2B en topologie demi-pont, 62 mm en topologie demi-pont) confirmant son implication dans la technologie carbure de silicium.


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