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Circuits RF en GaN sur silicium : alliance entre Macom et ST

Rédigé par  jeudi, 08 février 2018 10:56
Circuits RF en GaN sur silicium : alliance entre Macom et ST
  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.
Macom Technology Solutions et STMicroelectronics ont conclu un accord afin de développer des circuits RF sur tranches de nitrure de gallium sur silicium (GaN/Si). Concrètement, les puces seront fabriquées par le second cité au profit de l’américain. Si cet accord permettra à Macom de disposer d’une source d’approvisionnement supplémentaire, il donnera également à ST accès à la technologie GaN sur substrat silicium de Macom. Le franco-italien aura ainsi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits de puissance en GaN/Si, pour des marchés autres que ceux de la téléphonie mobile, des infrastructures pour stations de base sans fil et les télécommunications commerciales.
Côté Macom, il s’agira d’accélérer l’adoption du GaN/Si, afin de remplacer les LDMOS des émetteurs des stations de base cellulaires, et de se positionner favorablement sur d‘autres marchés en plein essor, l’énergie RF par exemple. Les deux protagonistes ont travaillé plusieurs années ensemble pour rendre effective la production de circuits en GaN sur Si dans l’unité Cmos de ST. Les premiers échantillons sont espérés dès cette année.

 


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