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Un transistor de puissance en GaN sur SiC pour la bande C

Rédigé par  mercredi, 14 février 2018 09:42
Un transistor de puissance en GaN sur SiC pour la bande C
Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.
Le californien Integra Technologies, un spécialiste des transistors de forte puissance pour les applications RF/hyper, annonce un transistor Hemt à déplétion en GaN sur carbure de silicium (GaN/SiC) apte à délivrer 50W entre 5,2 et 5,9 GHz. Référencé IGT5259L50, le nouveau venu est adapté 50 Ohms et offre un gain de 14 dB La puissance crête de 50W indiquée est fournie en mode pulsé (impulsions de durée de 1ms, rapport cyclique de 15%) et sous une tension drain-source de 50V. Le rendement obtenu est alors de 43%. Destiné aux radars en bande C, le transistor est proposé dans un boîtier de 20,32x10,16 mm à métallisation or.

 


Composants
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