Electroniques.biz

Toshiba améliore le facteur de mérite de ses Mosfet de puissance 100V pour applications industrielles

Rédigé par  mardi, 20 février 2018 11:00
Toshiba améliore le facteur de mérite de ses Mosfet de puissance 100V pour applications industrielles

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Toshiba Electronics Europe ajoute deux nouvelles références à son catalogue de Mosfet basse tension. Il est ici question de Mosfet 100V canal N exploitant le procédé U-MOS IX-H de la société. Ils sont destinés aux alimentations utilisées dans le monde industriel, ainsi qu'aux applications de commande de moteur.

Les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent de faibles valeurs de résistance à l'état passant, soit 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement. Leur tension de commande est compatible avec un niveau logique de 4,5V. Par rapport aux Mosfet actuels en technologie U-MOS VIII-H, les nouveaux venus sont crédités d'un meilleur facteur de mérite (RDS(ON).Qoss et RDS(ON).QSW).

Présenté dans un boîtier SOP Advance de 5x6mm, le TPH3R70APL est à même de supporter des courants de drain jusqu'à 90A. Pour sa part, le TPN1200APL est encapsulé dans un boîtier TSON Advance de 3x3mm, pour un courant de drain jusqu'à 40A.


Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
Pour communiquer sur vos produits,
alrouaud@newscoregie.fr - 01 75 60 28 61

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?

Veuillez entrer votre nom et numéro de téléphone.

Pour toute question, merci de nous contacter
08/01/2019 - 11/01/2019
Consumer Electronics Show (CES)
29/01/2019 - 01/02/2019
IoT Evolution Expo
04/02/2019 - 04/02/2019
Smart Building Conference