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Toshiba améliore le facteur de mérite de ses Mosfet de puissance 100V pour applications industrielles

Rédigé par  mardi, 20 février 2018 11:00
Toshiba améliore le facteur de mérite de ses Mosfet de puissance 100V pour applications industrielles

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Toshiba Electronics Europe ajoute deux nouvelles références à son catalogue de Mosfet basse tension. Il est ici question de Mosfet 100V canal N exploitant le procédé U-MOS IX-H de la société. Ils sont destinés aux alimentations utilisées dans le monde industriel, ainsi qu'aux applications de commande de moteur.

Les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent de faibles valeurs de résistance à l'état passant, soit 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement. Leur tension de commande est compatible avec un niveau logique de 4,5V. Par rapport aux Mosfet actuels en technologie U-MOS VIII-H, les nouveaux venus sont crédités d'un meilleur facteur de mérite (RDS(ON).Qoss et RDS(ON).QSW).

Présenté dans un boîtier SOP Advance de 5x6mm, le TPH3R70APL est à même de supporter des courants de drain jusqu'à 90A. Pour sa part, le TPN1200APL est encapsulé dans un boîtier TSON Advance de 3x3mm, pour un courant de drain jusqu'à 40A.


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