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Des Fet en SiC pour remplacer les Mosfet à superjonction

Rédigé par  vendredi, 09 mars 2018 10:06
Des Fet en SiC pour remplacer les Mosfet à superjonction

Les transistors Fet de 650 V en carbure de silicium de la série UJ3C de  l'américain UnitedSiC requièrent un circuit de commande de grille standard.

L'américain UnitedSiC introduit la série UJ3C de Fet 650V en carbure de silicium. Proposés dans des boîtiers TO-247, TO-220 et D²PAK-3L, ces transistors ont pour vocation de remplacer les Mosfet à superjonction en silicium sans, dixit la société, nécessiter une nouvelle conception du circuit de commande de grille. Ces Fet pour la correction du facteur de puissance et la conversion DC-DC affichent une très faible résistance à l'état passant et une charge de grille réduite. Ce qui, incidemment, se traduit par des pertes moindres. Ils permettent aussi un fonctionnement à une fréquence de commutation atteignant 500 kHz. Avec, à la clé, le recours possible à des composants passifs (inductances et condensateurs) moins volumineux et moins onéreux.

Les différents modèles couvrent la plage de courants de drain allant de 31A à 85A. La résistance à l'état passant est au mieux de 27 mOhms. Une valeur particulièrement faible pour un transistor en boîtier TO-220. Par quantité de 1000 pièces, le prix unitaire démarre à 7,69$ (référence UJ3C065080T3S de 31A en boîtier TO-220-3L)


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