Electroniques.biz

Samsung adapte la Mram au FD-SOI

Rédigé par  mardi, 12 mars 2019 08:12
Samsung adapte la Mram au FD-SOI

Le sud-coréen produit désormais des circuits intégrant une mémoire Mram dans sa technologie FD-SOI 28 nm.

Samsung a démarré la production commerciale d'un circuit embarquant une mémoire Mram et gravé dans sa technologie FD-SOI 28nm. Outre le fait que la mémoire Mram est censée migrer plus facilement que la flash dans des géométries plus fines, Samsung cite comme avantages un gain en vitesse d'écriture d'un facteur 1000, ainsi qu'une consommation moindre dûe à une tension de fonctionnement inférieure. Ce type de mémoire sera utilisé par le sud-coréen pour des microcontrôleurs et des circuits pour objets connectés. un prototype embarquant 1Gbit de Mram sera produit dans le courant de l'année. 


Embarqué
Adm21: système  GPU + COM Express de type 7 ConnectTech Connect Tech annonce la sortie de son nouveau système embarqué GPU Type 7 + COM Express. Ce système [...]
Pour communiquer sur vos produits,
alrouaud@newscoregie.fr - 01 75 60 28 61

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?

Veuillez entrer votre nom et numéro de téléphone.

Pour toute question, merci de nous contacter
20/03/2019 - 21/03/2019
IoT World
20/03/2019 - 21/03/2019
RF & Microwave
20/03/2019 - 20/03/2019
Comment bien choisir son réseau pour l’IoT industriel ?
20/03/2019 - 21/03/2019
MtoM & Objets Connectés - Embedded Systems
01/04/2019 - 05/04/2019
Foire de Hanovre
03/04/2019 - 04/04/2019
Enova Nantes
04/04/2019 - 07/04/2019
Médical Expo 2019
10/04/2019 - 11/04/2019
Sido
21/05/2019 - 23/05/2019
Paris Healthcare Week
17/06/2019 - 23/06/2019
Salon international de l'aéronautique et de l'espace