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Troisième génération de Dram DDR4 8 Gbits chez Samsung

Rédigé par  lundi, 25 mars 2019 12:14
Troisième génération de Dram DDR4 8 Gbits chez Samsung

Le sud-coréen augmente de plus de 20 % la productivité des lignes de production de ses mémoires Dram DDR4.

Samsung Electronics a mis au point sa troisième génération de mémoires Dram DDR4 de 8Gbits en technologie 1znm (gravure entre 10nm et 19nm), avec à la clé un gain de productivité de plus de 20% par rapport à la génération précédente. La production en volume démarrera au second semestre 2019, à temps pour équiper les serveurs et ordinateurs haut de gamme lancés en 2020. Fabriquées sur le site sud-coréen de Pyeongtaek sans avoir recours à une gravure par ultraviolets extrêmes (EUV), ces mémoires seront validées sous forme de modules de 8Go en collaboration avec un grand fabricant de microprocesseurs. 


Composants
Convertisseur DC/DC: 18-75Vdc / 12Vdc-19A Série Hammerhead BM ENERGIE, distributeur officiel de GE Critical Power en France, vous présente le Nouveau Module [...]
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