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Les circuits de commande de transistors GaN se durcissent

Rédigé par  jeudi, 18 avril 2019 08:48
Les circuits de commande de transistors GaN se durcissent

Renesas a initié la production d'un contrôleur PWM et d'un pilote de transistor FET GaN en boîtiers plastiques et durcis aux radiations, à destination des satellites en orbite basse.

Renesas Electronics continue de faire fructifier l'héritage Intersil en lançant les ISL71043M et ISL71040M, des circuits de commande d'étages de puissance optimisés pour les constellations de satellites en orbite basse. L'ISL71043M est un contrôleur PWM en mode courant, et l'ISL71040M un pilote de transistor FET en GaN côté bas. Ces circuits conviennent aux configurations flyback et demi-pont isolées pour la commande de puissance et le contrôle de moteurs. Encapsulés en boîtiers plastiques SOIC et TDFN, ils supportent une dose totale TID de 30krads et des évènements singuliers SEE de 43MeV.cm²/mg, ainsi que des températures allant de -55°C à 125°C.


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