Electroniques.biz

Samsung empile douze puces Dram avec des liaisons TSV

Rédigé par  jeudi, 10 octobre 2019 15:12
Samsung empile douze puces Dram avec des liaisons TSV

Le sud-coréen a raffiné sa technologie de puces empilées à liaisons traversantes (through silicon vias) et prépare des mémoires HBM de 24 Go.

Samsung Electronics a développé une technologie de liaisons traversantes sur silicium (TSV) à douze couches, une première dans l'industrie selon le sud-coréen. Cette technologie permet par exemple d'empiler douze puces de mémoire Dram dans un seul boîtier au moyen de plus de 60.000 trous TSV, tout en conservant la même épaisseur totale, 720µm, que les actuelles mémoires HBM2 à huit couches. Samsung prévoit ainsi de produire bientôt des mémoires HBM de 24Go, soit douze puces de 16Gbits empilées.


Embarqué
Adm21, nouveau SBC 3,.5” basé sur Intel Atom x7-E3950 Vecow , distribué par ADM21, vient de lancer le nouveau SBC ( single Board Computer ), EMBC-2000 [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99

Veuillez entrer votre nom et numéro de téléphone.

Pour toute question, merci de nous contacter
03/09/2020 - 04/09/2020
Sido
09/09/2020 - 10/09/2020
Rencontres électronique imprimée
23/09/2020 - 24/09/2020
IoT World + MtoM Embedded
23/09/2020 - 24/09/2020
RF & Microwave
29/09/2020 - 01/10/2020
Forum de l'électronique/Sepem Industries