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Compacité et asymétrie pour les transistors GaN de ST

Rédigé par  lundi, 11 janvier 2021 09:18
Compacité et asymétrie pour les transistors GaN de ST

Le premier MasterGaN2 de STMicroelectronics embarque deux transistors en nitrure de gallium 650V de résistances différentes dans un boîtier compact.

Extension de la famille de composants en nitrure de gallium MasterGaN de STMicroelectronics avec le MasterGaN2, un modèle à deux transistors GaN asymétriques destiné aux convertisseurs à découpage et redressement. Ces deux transistors 650V présentent des résistances à l'état passant respectives de 150mOhms et 225mOhms et disposent chacun de leur étage de commande. Les entrées sont compatibles avec des signaux logiques sous 3,3V à 15V, ce qui simplifie la connexion à un DSP, FPGA ou microcontrôleur externe. 

Le MasterGaN2 trouvera par exemple sa place dans des adaptateurs USB et chargeurs pour smartphones. Le boîtier GQFN de 9x9x1mm abrite également diverses protections contre les sous-tension et les pics de température. Le MasterGaN2 est vendu 6,5$ pièce par lots de 1000.


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