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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.
TECHNOLOGIE / RF/HYPER Discrets
Le diamant dope la puissance du GaN
La start-up américaine Group4 Labs vient de lancer une production de tranches de nitrure de gallium sur un substrat en diamant synth...
Erwan Humbert, ElectroniqueS, le 20/2/2006 à 15h14
La start-up américaine Group4 Labs vient de lancer une production de tranches de nitrure de gallium sur substrat en diamant synthétique. Ce substrat de 25 µm d'épaisseur permettrait d'augmenter fortement la puissance des circuits radio et hyperfréquence en tirant parti de la mobilité supérieure des porteurs dans le nitrure de gallium. Le savoir-faire de Groupe4 Labs réside dans la technique d'association atomique de la couche GaN au diamant. Ces tranches sont initialement disponibles dans le format carré de 10 x 10 mm au prix unitaire de 450 $.
