Samsung dévoile le premier disque dur avec mémoire flash
A l'occasion de la conférence WinHEC (Windows Hardware Engineering Conference), qui se tiendra à Seattle les 23 et 24 mai, Samsung compte dévoiler le premier prototype “commercial” d'un disque dur hybride intégrant 128 ou 256 Mo de mémoire flash NAND. La présence de mémoire flash a pour but de réduire le nombre d'opérations de lecture/écriture sur le disque dur magnétique (les données sont transférées sur le disque lorsque la mémoire flash est pleine, une opération qui prend quelques secondes toutes les dix à vingt minutes) et, partant, de faire baisser la consommation, d'augmenter l'autonomie des PC portables et d'allonger la durée de vie des batteries. Les ordinateurs équipés de tels disques durs devraient également voir leur durée d'amorçage réduite de 8 à 20 secondes. Samsung fait appel à des circuits mémoire flash OneNAND qui garantissent un débit en lecture de 108 Mo/s et un débit en écriture de 18 Mo/s. Le constructeur coréen compte échantillonner des lecteurs de disques durs hybrides cet été et démarrer la production en volume en janvier 2007, parallèlement au lancement du système d'exploitation Windows Vista.
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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.



