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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.
Première flash NAND 16Gbits à 3bits par cellule
Toshiba et SanDisk s'apprêtent à lancer la production en volume d'une mémoire flash NAND 16Gbits en technologie Cmos 56nm faisant appel à une architecture de cellule multiniveaux (MLC) originale. Cette NAND 16Gbits, qui sera disponible en mars, permet en effet de stocker 3bits par cellule mémoire au lieu de 2 comme dans les flash NAND MLC classiques. Cela devrait permettre aux deux sociétés d'augmenter de 20% le nombre de puces par tranches à technologie donnée, cela sans compromis sur les performances (8Mo/s en écriture). Toshiba et SanDisk, qui n'entendent pas mettre tous leurs œufs dans le même panier, viennent simultanément de lancer la production en volume et en technologie Cmos 43nm de mémoires flash NAND 16Gbits à architecture MLC classique. Ces mémoires seront suivies de modèles 32Gbits dans la deuxième moitié de l'année 2008.
