Des flash NAND 1Gbit à 4Gbits deux fois plus rapides en lecture

A l'occasion de l'inauguration du siège social de sa division Sécurité et technologie avancée à Milan (Italie), Spansion, qui se définit comme le plus important fabricant exclusif de solutions mémoires flash, a levé le voile sur sa future famille de mémoires flash à charges piégées MirrorBit ORNAND2. Prévues pour mise en production dans le courant de l'année 2009 en technologie Cmos 43nm, les mémoires flash ORNAND seront disponibles en versions de 1Gbit à 4Gbits fonctionnant sous une tension de 1,8V ou 3V. Elles seront fabriquées en fonderie par SMIC (/editorial/388215/).

A la différence des flash ORNAND de première génération qui se distinguent principalement par leur interface de type NAND, (/article/302046.html), les ORNAND2 seront dotées d'un réseau de cellules mémoires NAND classique. Elles seront moins coûteuses à fabriquer (25% d'étapes en moins). Destinées aux terminaux portables multimédias dans leur version 1,8V et au marché plus général de l'embarqué dans la version 3V, elles seront deux fois plus rapides en lecture et 25% en écriture que les classiques flash NAND à grille flottante. Du fait de la petite taille de la cellule mémoire (7396nm2 en technologie 43nm), il sera par ailleurs possible d'intégrer des fonctions logiques sur la puce (un contrôleur mémoire par exemple) de manière à fournir des solutions complètes dédiées.