ACCUEIL
On le sait, les activités de R&D et la fabrication doivent s’enrichir mutuellement. C’est pourquoi les acteurs de la sous-traitance ont intérêt à cultiver ces deux domaines. Mais pour y parvenir,
la France se doit de conserver un tissu industriel afin de rester une terre d’innovation.
TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques
Les Fram atteignent 128Mbits
Toshiba vient de présenter un prototype de mémoire Ram ferroélectrique (Fram) d'une capacité de 128Mbits, quatre fois plus dense qu...
Françoise Grosvalet, ElectroniqueS, le 11/2/2009 à 12h19
Toshiba vient de présenter un prototype de mémoire Ram ferroélectrique (Fram) d'une capacité de 128Mbits, quatre fois plus dense que la Fram la plus complexe jamais réalisée jusqu'ici (une 32Mbits elle aussi signée Toshiba). Cette Fram en technologie Cmos 130nm est caractérisée par un débit de données de 1,6Go/s, un temps d'accès de 43ns et un temps de cycle de 83ns. Le tout sous une tension d'alimentation de 1,8V.
Rien n'a toutefois été dit sur une éventuelle commercialisation de cette mémoire non-volatile.
