Espace Membre

VIDÉOS

Vidéo : La voiture de demain Auteur d'un livre sur le véhicule électrique, Francis Desmoz expose sa vision de la voiture de demain.

WHITE PAPERS

NOUVEAU PRODUIT

INTERVIEW EXCLUSIVE

Marc Pasquier, Directeur général d’Éolane : «Interfacer R&D et fabrication est un métier»

On le sait, les activités de R&D et la fabrication doivent s’enrichir mutuellement. C’est pourquoi les acteurs de la sous-traitance ont intérêt à cultiver ces deux domaines. Mais pour y parvenir, la France se doit de conserver un tissu industriel afin de rester une terre d’innovation.

AGENDA

EMPLOI

TECHNOLOGIE / ÉNERGIE Semiconducteurs de puissance

Record en Mos canal p 30V format SO-8

La société américaine Vishay Intertechnology vient de présenter, sous la référence Si7145DP, un transistor Mos canal p d'une tenue en tension...
Erwan Humbert, ElectroniqueS, le 30/6/2009 à 12h20

La société américaine Vishay Intertechnology vient de présenter, sous la référence Si7145DP, un transistor Mos canal p d'une tenue en tension de 30V dans un format à l'empreinte sur le circuit imprimé compatible avec un SO-8. Ce transistor dont la résistance à l'état passant ne dépasse pas la valeur de 2,6mOhms pour une tension de commande de 10V et 3,75mOhms pour une tension de commande de 4,5V établirait selon la société un record dans sa catégorie, le plus proche compétiteur étant selon Vishay à 3,1mOhms et 4,3mOhms suivant la tension de commande.

VOS RÉACTIONS À CET ARTICLE

Soyez le premier à réagir à cet article
Votre nom *
Votre société *
Votre réaction

* Informations obligatoires