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Vidéo : Visite du salon Opto 2011 Petit tour au coeur des salons Opto, Mesurexpovision et Espace Laser qui se sont tenus en octobre dernier, à Paris. Retrouvez également une interview de René Péres de GL Events, l'organisateur de ces salons.

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Mario Pasquali, CEO d'Ellisys et membre de l'USB-IF : « Le passage prévu à une alimentation de 100 W sur un lien USB est une véritable révolution qui va modifier l’usage de l’USB »

Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.

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TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques

Micron passe ses flash NAND au 34 nm

Micron Technology vient d'introduire ses premières mémoires flash NAND en technologie Cmos 34nm. Ces mémoires de 8Gbits,16Gbits et 32Gbits s...
Françoise Grosvalet, ElectroniqueS, le 01/7/2009 à 12h22

Micron Technology vient d'introduire ses premières mémoires flash NAND en technologie Cmos 34nm. Ces mémoires de 8Gbits,16Gbits et 32Gbits sont plus petites et plus performantes que les précédents modèles de la société.

Ainsi, par exemple, le modèle 32Gbits à architecture MLC est-il plus petit de 17% que les précédentes 32Gbits de Micron, alors que la NAND 16Gbits MLC a, elle, une surface de seulement 84m2. Les deux sont dotées d'une interface synchrone ONFI 2.1 autorisant des débits jusqu'à 200Mo/s (40Mo/s pour les NAND SLC classiques).

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