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On le sait, les activités de R&D et la fabrication doivent s’enrichir mutuellement. C’est pourquoi les acteurs de la sous-traitance ont intérêt à cultiver ces deux domaines. Mais pour y parvenir,
la France se doit de conserver un tissu industriel afin de rester une terre d’innovation.
TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques
Premières flash NAND MLC à 3 bits par cellule
Ces mémoires sont fabriquées en technologie 30nm par Samsung.
Françoise Grosvalet, ElectroniqueS, le 01/12/2009 à 15h00
Samsung Electronics vient d’introduire ce qu’il considère comme la première mémoire flash NAND à architecture MLC permettant de stocker 3 bits par cellule mémoire. Cette flash NAND est aussi la première à être produite en volume en technologie 30nm.
Ces mémoires de 32 Gbits seront associées à des contrôleurs ad hoc dans des cartes SD d’une capacité de 8Go.
