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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.
TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques
Samsung démarre la fabrication de Dram DDR3 en 30 nm
Le Coréen promet, pour le second semestre 2010, des modules de 4 Go consommant moins de 3 W.
Frédéric Rémond, ElectroniqueS, le 02/2/2010 à 13h55
Samsung soumet actuellement à l'évaluation de ses clients les premières mémoires Dram DDR3 fabriquées en technologie Cmos 30 nm de l'industrie. Ces puces de 2 Gbits, qui fonctionnent sous 1,35 à 1,5 V, seront disponibles en volume au second semestre. Selon le Coréen, un module Dram 4 Go bénéficiant de cette technologie ne consommerait que 3 W (30 % de moins que la génération précédente) pour un coût de production divisé par deux.
