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Vidéo : Remise des Electrons d'Or 2011 La revue ElectroniqueS remet ses Electrons d'Or récompensant les meilleurs produits et la meilleure start-up française de l'année.

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NOUVEAU PRODUIT

INTERVIEW EXCLUSIVE

Marc Pasquier, Directeur général d’Éolane : «Interfacer R&D et fabrication est un métier»

On le sait, les activités de R&D et la fabrication doivent s’enrichir mutuellement. C’est pourquoi les acteurs de la sous-traitance ont intérêt à cultiver ces deux domaines. Mais pour y parvenir, la France se doit de conserver un tissu industriel afin de rester une terre d’innovation.

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ERTS² 2012
DU 1er AU 3 FÉVRIER 2012 À TOULOUSE

Il s'agit de la 6è édition de la manifestation Embedded Real Time Software and Systems consacrée aux systèmes et logiciels embarqués, notamment dans les domaines de l’automobile, de l’aéronautique, du ferroviaire, de l’espace.

TÉLÉSANTÉ 2012
LE 29 MARS 2012

ECARTEC PARIS 2012
DU 3 AU 5 AVRIL 2012 À PARIS

EMPLOI

TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques

ISSCC 2010 : Les processeurs x86 se mettent au 32 nm

Intel et AMD présentent des implémentations mono- et multicoeurs de leurs microprocesseurs et les solutions choisies pour en limiter la consommation.
Frédéric Rémond, ElectroniqueS, le 09/2/2010 à 12h25
Intel et AMD ont profité d'ISSCC pour lever le voile sur leurs microprocesseurs x86 fabriqués en technologie Cmos 32 nm.

Intel a ainsi détaillé deux implémentations de son coeur Westmere, un modèle à 6 coeurs pour serveurs et un modèle à 2 coeurs pour PC portables et fixes. La version à 6 coeurs comprend 1,17 milliard de transistors (y compris les 12 Mo de mémoire cache de niveau 3) et occupe sensiblement le même espace qu'un Nehalem à 4 coeurs et 8 Mo de mémoire gravé en 45 nm. La gestion de puissance a été étendue au niveau de cette mémoire cache de niveau 3, dont l'alimentation est susceptible d'être partiellement ou complètement réduite afin d'abaisser les courants de fuite - qui comptent pour un quart de la consommation totale typique du processeur.
En outre, la génération et distribution d'horloge a été raffinée pour équilibrer performances et consommation, et l'étage de contrôle de la mémoire DDR3 externe a été adapté à la DDR3-LV (basse tension) pour fonctionner sous 1,5 V ou 1,35 V.

De son côté, AMD a présenté une implémentation en Cmos 32 nm sur SOI du coeur x86-64, qui nécessite plus de 35 millions de transistors (hors mémoire cache). Ici aussi, l'usage de transistors longs a permis de réduire les fuites. Contrairement à Intel, AMD a troqué les traditionnelles cellules à 6 transistors de la mémoire cache de niveau 2 contre des versions à 8 transistors permettant de séparer la lecture et l'écriture (la fréquence maximale annoncée dépassant ici les 3 GHz, il devenait difficile selon AMD de continuer à assurer ces deux opérations en un seul cycle d'horloge avec une cellule 6T classique). 95 signaux clés sont régulièrement échantillonnés afin d'évaluer en permanence la consommation du circuit.

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