PRODUITS / COMPOSANTS
Mosfet 12 V canal P
Série SiB455EDK de Vishay Intertechnology
La rédaction, ElectroniqueS, le 26/2/2010 à 9h23
Ce transistor est caractérisé par une résistance à l’état passant parmi les plus faibles de l’industrie.- Technologie TrenchFET III
- Tenue en tension : 12 V
- Résistance à l’état passant : 27 mOhms à 4,5 V
- Boîtier PowerPAK SC-75
ACCUEIL

Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.



