PRODUITS / COMPOSANTS
Mosfet 12 V canal P
Série SiB455EDK de Vishay Intertechnology
La rédaction, ElectroniqueS, le 26/2/2010 à 9h23
Ce transistor est caractérisé par une résistance à l’état passant parmi les plus faibles de l’industrie.- Technologie TrenchFET III
- Tenue en tension : 12 V
- Résistance à l’état passant : 27 mOhms à 4,5 V
- Boîtier PowerPAK SC-75
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On le sait, les activités de R&D et la fabrication doivent s’enrichir mutuellement. C’est pourquoi les acteurs de la sous-traitance ont intérêt à cultiver ces deux domaines. Mais pour y parvenir,
la France se doit de conserver un tissu industriel afin de rester une terre d’innovation.




