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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.
TECHNOLOGIE / RF/HYPER Discrets - Militaire et Aérospatial
A 450 MHz, le transistor en carbure de silicium délivre 1500 W en mode pulsé
Destiné aux applications radars dans la bande UHF, le dernier transistor SiC de Microsemi délivre 500 W de plus que le modèle phare de la gamme actuelle du californien.
Philippe Corvisier, ElectroniqueS, le 12/3/2010 à 14h28
Microsemi complète son catalogue de transistors RF de puissance en carbure de silicium (SiC) avec un modèle destiné aux applications radars exploitant la bande UHF des fréquences comprises entre 406 et 450 MHz.
Référencé 0405SC-1500M, ce transistor à métallisation et fils de connexion en or présenté dans un boîtier hermétique, est susceptible de délivrer une puissance de 1500 W en mode pulsé (300 µs, rapport cyclique de 6 %), sous une tension de 125 V. Soit 500 W de plus que son prédécesseur, le modèle 0405SC-1000M.
Ce transistor à grille commune fonctionnant en classe AB affiche un gain typique de 8 dB. Il est en outre crédité d’un rendement de 45 % à 450 MHz.
Proposé en configuration single-ended, il évite l’usage d’une circuiterie balun complexe, comme tel est le cas dans les solutions push-pull traditionnelles à transistors LDmos ou bipolaires silicium.
Référencé 0405SC-1500M, ce transistor à métallisation et fils de connexion en or présenté dans un boîtier hermétique, est susceptible de délivrer une puissance de 1500 W en mode pulsé (300 µs, rapport cyclique de 6 %), sous une tension de 125 V. Soit 500 W de plus que son prédécesseur, le modèle 0405SC-1000M.
Ce transistor à grille commune fonctionnant en classe AB affiche un gain typique de 8 dB. Il est en outre crédité d’un rendement de 45 % à 450 MHz.
Proposé en configuration single-ended, il évite l’usage d’une circuiterie balun complexe, comme tel est le cas dans les solutions push-pull traditionnelles à transistors LDmos ou bipolaires silicium.
