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Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.
Début de production pour la Flash Nand 20nm
Après l'annonce de IMFT, la joint-venture Intel-Micron, faite fin janvier de la mise en production de sa Flash Nand 25nm pour ce trimestre, c'est au tour de Samsung de mettre en avant ses premières puces Nand de classe 20 nanomètres. Le coréen vient en effet de dévoiler le début de production de sa technologie pour des applications en cartes mémoires SD et en mémoire embarquée.
Avec des composants 30% plus rapides que leur équivalent en process 30nm (avec 20Mo/s en lecture et 10Mo/s en écriture), Samsung compte étoffer son offre en cartes mémoires pour les smartphones et autres applications de technologie de l'information haut-de-gamme.
Pour l'heure, le fabricant commence la livraison d'échantillons de cartes SD 32Gb Flash Nand 20nm, la production de masse étant prévue plus tard dans l'année. A terme il proposera des modèles de cartes mémoires de 4Go à 64Go de densité.
