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Vidéo : Visite du salon Opto 2011 Petit tour au coeur des salons Opto, Mesurexpovision et Espace Laser qui se sont tenus en octobre dernier, à Paris. Retrouvez également une interview de René Péres de GL Events, l'organisateur de ces salons.

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Mario Pasquali, CEO d'Ellisys et membre de l'USB-IF : « Le passage prévu à une alimentation de 100 W sur un lien USB est une véritable révolution qui va modifier l’usage de l’USB »

Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.

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Menta et le LIRRM annoncent les premiers FPGA basés sur des mémoires Mram

La start-up française Menta, fournisseur de cœurs de FPGA sous forme d'IP, et le laboratoire LIRRM, annoncent la fabrication d'une famille de FPGA basés sur des mémoires Mram en technologie Cmos 130 nm.
Francois Gauthier, ElectroniqueS, le 10/6/2010 à 15h35
C'est une première. La jeune société française Menta, qui délivre une architecture de FPGA pour circuits de type SoC sous forme d'IP, ainsi qu'une suite d'outils capable de personnaliser cette architecture, annonce avoir réussi, en collaboration avec le LIRRM (Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier), à fabriquer un FPGA basé sur des mémoires magnétiques Mram. Rappelons que celles-ci utilisent l'électronique de Spin et s'appuient, pour stocker les états "O" ou "1", sur la magnétorésistance par effet tunnel mise en pratique à travers des MTJ (Magnetic Tunnel Junction). Cette technologie, développée en particulier au sein du CEA Leti, est à l'origine de la création de la société française Crocus Technology, dont les mémoires Mram ont été utilisées par Menta et le LIRRM, ce dernier travaillant dans le cadre du projet Spin (Spintronics platform for innovative nanotechnology) financé par l'ANR. Architecturé autour du cœur eFPGA de Menta, cette famille de FPGA, validée en production, utilise une technologie Cmos 130 nm avec des jonctions tunnel à 120 nm pour délivrer une capacité d'environ 1 400 tables LUT4, soit l'équivalent de 20 000 portes logiques. Selon Menta, l'échantillonnage de cette famille de FPGA est prévu pour le troisième trimestre 2010.

La validation de ce type de circuits ouvre la porte à la création de FPGA à mémoire non volatile extrêmement rapides (quelques nanosecondes pour un cycle de lecture/écriture), résistants aux radiations, le tout avec une technologie Cmos classique. Avec en ligne de mire les marchés de la Défense, de l'aérospatial et de l'automobile.
Pour le professeur Lionel Torres, en charge du projet Mram au sein du LIRRM, "ces FPGA basés sur des mémoires Mram proposent des capacités d'adaptation très élevées en raison de leur aptitude à supporter des opérations de configuration dynamique, partielle ou totale, et à gérer de manière instantanée leur consommation partielle ou totale". Quant à Laurent Rougé, fondateur et actuel Pdg de Menta, il estime que "l'un des principaux bénéfices de cette approche à base de Mram est qu'elle permet de mettre en œuvre des technologies Cmos de dernière génération, alors que les approches traditionnelles à base de flash ne sont valides que sur des procédés Cmos matures".

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