TECHNOLOGIE / ACTIFS Circuits numériques
Toshiba augmente la densité de ses modules mémoire flash Nand
Le japonais lance un module de 128 Go encapsulé dans un boîtier mesurant seulement 17x22x1,4 mm.
Frédéric Rémond, ElectroniqueS, le 18/6/2010 à 14h36
L'avènement de la vidéo haute définition alimente actuellement les besoins de stockage. Et les appareils nomades (smartphones, PC tablettes, etc.) ne sont pas en reste... Cette constatation motive aujourd'hui Toshiba à augmenter la densité de ses modules mémoire flash Nand. Le japonais lance ainsi un module 128 Go mesurant seulement 17x22x1,4 mm. Assemblage par empilage de couches et amincissement des puces (30 µm d'épaisseur!) sont à l'origine de cette compacité.Constitué de seize puces de 64 Gbits et d'un contrôleur dédié, ce module bénéficie d'une technologie Cmos 32 nm. Il s'avère compatible avec l'interface e.MMCTM V4.4 et sera disponible en volume au quatrième trimestre 2010.
ACCUEIL

Mario Pasquali est à l’origine, avec sa société Ellisys, des suites de tests de l’USB 3.0, utilisées
en particulier pour la certification à ce standard des contrôleurs hôte et des périphériques
mis sur le marché. Il explique ici comment évolue l’USB 3.0, et en quoi l’augmentation prévue
par l’USB-IF de la puissance électrique véhiculée par un lien USB, jusqu’à 100 W, est une évolution majeure à venir de ce standard.



