Technologie de transistor silicium Mos employée pour les amplificateurs de puissance de 400 MHz à 3 GHz, concurrente des technologies bipolaires et arséniure de gallium. Par rapport au silicium bipolaire, le LDmos offre un gain plus élevé, une meilleure linéarité et une construction facilitant la dissipation de la chaleur de la puce. Il fonctionne avec une tension plus élevée que l’arséniure de gallium, ce qui favorise son utilisation en puissance, et est bien sûr moins coûteux puisqu’il est intégré sur silicium.