Les Mosfet à super-jonction de Renesas offrent moins de résistance

Le 21/09/2012 à 17:24 par Philippe Dumoulin

Les trois Mosfet annoncés par Renesas sont caractérisés par un RDS(on) de 150 mOhms (en valeur typique) et un facteur de mérite amélioré. Renesas Electronics annonce la mise à disposition pour cet automne de trois nouveaux Mosfet à super-jonction de 600 V, à destination des convertisseurs DC-DC, des onduleurs et des applications de commande moteur.

Référencés RJL60S5DPP, RJL60S5DPK et RJL60S5DPE, ces transistors sont caractérisés par un faible facteur de mérite (soit le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille). L’heureuse conséquence en sera l’amélioration du rendement énergétique, notamment dans les produits domestiques qui mettent en œuvre des moteurs à haute vitesse.

Au niveau de la seule résistance à l’état passant, la valeur obtenue est typiquement de 150 mOhms (à ID=10 A et VGS=10 V). Quant au temps de recouvrement inverse de la diode intrinsèque, il a été réduit à 150 ns (à ID=20 A).
Ces Mosfet sont proposés dans les formats de boîtiers suivants : TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK) et LDPAK (RJL60S5DPE).

Copy link
Powered by Social Snap