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La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

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Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

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Les pilotes de grille LMG1020 et LMG1210 de Texas Instruments ciblent notamment les lidars et les convertisseurs DC-DC dont la fréquence de découpage atteint 50MHz.

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Cette acquisition va notamment permettre à Wolfspeed, la filiale de Cree, de renforcer sa position dans le domaine des technologies RF GaN sur SiC. Le montant de la transaction s’élève à 345 millions d’euros environ.

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Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.
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  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.
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Réalisé selon sa technologie UltraCMOS, le driver PE29102 de Peregrine Semiconductor entend améliorer les performances des amplificateurs audio fonctionnant en classe D.

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Le MMIC MGFG5H3001 en technologie HEMT GaN du japonais fournit une puissance de 8W entre 27,5 et 31GHz.

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Cette levée de fonds menée par BMW i Ventures permettra de booster les ventes de GaN Systems à l'échelle mondiale et d'accélérer le développement de nouveaux produits.

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Couvrant la bande 0,3 à 6GHz, le MMIC HMC8205BF10 d'Analog Devices délivre 35W avec un rendement de 38% et un gain de 20dB.

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