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Future Electronics vient de présenter la carte de référence GaNdalf à très haut rendement.

Publié dans Energie

La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

Publié dans Vie des entreprises

Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

Publié dans Rf/Hyper

Les pilotes de grille LMG1020 et LMG1210 de Texas Instruments ciblent notamment les lidars et les convertisseurs DC-DC dont la fréquence de découpage atteint 50MHz.

Publié dans Semi-conducteurs

Cette acquisition va notamment permettre à Wolfspeed, la filiale de Cree, de renforcer sa position dans le domaine des technologies RF GaN sur SiC. Le montant de la transaction s’élève à 345 millions d’euros environ.

Publié dans Vie des entreprises
Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.
Publié dans Rf/Hyper
  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.
Publié dans Vie des entreprises

Réalisé selon sa technologie UltraCMOS, le driver PE29102 de Peregrine Semiconductor entend améliorer les performances des amplificateurs audio fonctionnant en classe D.

Publié dans Semi-conducteurs

Le MMIC MGFG5H3001 en technologie HEMT GaN du japonais fournit une puissance de 8W entre 27,5 et 31GHz.

Publié dans Rf/Hyper

Cette levée de fonds menée par BMW i Ventures permettra de booster les ventes de GaN Systems à l'échelle mondiale et d'accélérer le développement de nouveaux produits.

Publié dans Vie des entreprises
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