Rohm et BASiC Semiconductor signent un accord sur les dispositifs de puissance en SiC

Le 02/12/2022 à 10:09 par Christelle Erémian

Rohm et BASiC Semiconductor viennent de conclure un partenariat stratégique afin de développer des dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC) destinés à l’industrie de l’automobile.

Les deux entreprises se sont engagées à développer des « solutions SiC plus performantes, plus efficaces et plus fiables pour les véhicules à énergie nouvelle ».
Dans un premier temps, les deux partenaires vont proposer aux constructeurs automobiles des modules d’alimentation embarqués exploitant leurs technologies combinées pour les véhicules électriques, et plus précisément les groupes motopropulseurs.

« Au milieu de la révolution technologique en cours dans le domaine des véhicules à énergie nouvelle, l’émergence des dispositifs de puissance SiC s’impose comme la clé de l’amélioration de l’efficacité de la propulsion électrique. L’engagement précoce de BASiC Semiconductor dans le secteur des modules de puissance SiC pour l’automobile a permis de réaliser des percées dans le développement des produits et du marché. Nous sommes honorés de travailler avec Rohm, un fabricant de semi-conducteurs de renommée internationale, afin de développer des dispositifs de puissance SiC pour automobiles de haute performance et de haute fiabilité qui répondent aux besoins des clients et contribuent à l’innovation dans la technologie des véhicules électriques tout en réduisant les émissions de CO2 », a déclaré Weiwei He, directeur général de BASiC Semiconductor.

Copy link
Powered by Social Snap