Electroniques.biz

Frédéric Rémond

Samsung lance la production en volume d'une mémoire eUFS de 256 Go destinée au marché automobile et fonctionnant entre -40 °C et 105 °C, y compris en mode veille.

L'américain présente une gamme de modules à microcontrôleur intégré simplifiant la mise en oeuvre de systèmes industriels basés sur le système d'exploitation Linux.

Le fabricant franco-italien débute une famille de kits de développement associant une carte à microcontrôleur STM32 et une extension assurant une liaison 2G, 3G et/ou 4G.

L'américain échantillonne un circuit modem LTE de catégorie 20 en FinFET 7 nm capable de délivrer jusqu'à 2 Gbit/s.

Le japonais inaugure une gamme de cartes de développement couvrant l'ensemble de ses microcontrôleurs 32 bts RX et vendues chacune moins de 30 $.

Epaulée par NXP et ams, l'Université de Delft a développé en technologie Cmos usuelle un détecteur de CO2 précis à 94 ppm et peu gourmand en énergie.

L'américain a mis au point un détecteur de température à la fois compact et peu gourmand en énergie et destiné à être intégré dans des processeurs en technologie FinFET 22 nm.

Le sud-coréen poursuit ses développements en mémoires flash Nand à empilement dotées de cellules stockant quatre bits.

Le japonais développe une mémoire flash Nand à empilement embarquant 512 Gbits répartis sur 96 couches, pour une densité inégalée.

Le fabricant japonais a développé un imageur très haute définition à film organique photoconducteur combinant une sensibilité élevée et modulable, un vitesse de capture allant jusqu'à 60 images par seconde et la possibilité de choisir entre obturation globale et déroulante.

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