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La semaine dernière a été marquée par la publication du dernier volet des événements de l'été. Vous pourrez retrouver les principaux événements de l'été dans notre magazine du mois de septembre.

A retenir également sur le front des entreprises, une nouvelle offre sur l'activité composants de Toshiba emmnée par Bain Capital et incluant Apple, l'annonce de Samsung Electronics qui négocie des accords avec des fournisseurs de tranches de silicium de façon à ce qu’il n’y ait pas de problème d’alimentation pour ses usines, la création d'un fonds d'investissement de 50 M€ pour les PME de la défense, l'acquisition d'Ixys par Littelfuse pour 750M$ et l'achat par Siemens de l'éditeur de logiciels Tass spécialisé dans la conduite autonome.

Concernant les prévisions en matière de production, il faut noter que les investissements en fabrication de mémoires Dram et Sram devraient progresser de 53% en 2017 par rapport à 2016, selon IC Insights. Une hausse de 33% est par ailleurs prévue pour les investissements en mémoires flash.

 

Publié dans Editos

Il s’agit pour le sud-coréen de garantir l’approvisionnement en matière de ses unités de production de circuits logiques et de mémoires.

Publié dans Vie des entreprises

La semaine dernière a été marquée par la reprise de nos informations quotidiennes mais aussi par nos premières synthèses de l'actualité de l'été que vous trouverez en tête de cette newsletter.

Le reste de l'actualité a été dominé par la conjoncture en semi-conducteurs pour laquelle les indicateurs semblent être au vert. Alors que la croissance du marché atteint 20,8% sur les six premiers mois de l'année au niveau mondial (et 14,6% au niveau européen), le WSTS prévoit une progression mondiale de 17% sur l'ensemble de l'année.

Au deuxième trimestre 2017, les ventes de la distribution européenne de semi-conducteurs industriels (hors composants pour PC) ont progressé de 17,3% par rapport au 2ème trimestre 2016, à 2,19 milliards d’euros, nous apprend par ailleurs le DMASS (Distributors and Manufacturers Association of Semiconductor Specialists).

Enfin, notons qu'au premier semestre 2017, les investissements en production de semi-conducteurs consentis par les fabricants dans ce domaine ont progressé de 48% par rapport au premier semestre 2016, annonce IC Insights.

Sur le front des entreprises, Western Digital a fait une nouvelle offre sur l'activité composants de Toshiba avec le renfort de la société d'investissement KKR, du fonds adossé à l'Etat japonais Innovation Network Corp of Japan (INCJ) et de la Development Bank of Japan (DBJ). On retiendra aussi que, désormais, Intel et Samsung sont au coude à coude pour se disputer la première place mondiale en semi-conducteurs

Publié dans Editos

La spéculation est finalement retombée à propos de la possible arrivée de Samsung en haut du podium dans le classement des entreprises de semi-conducteurs, estime IHS Markit.

Publié dans Conjoncture

Ce grâce à Samsung qui a investi 11 milliards de dollars pour sa production de semi-conducteurs au premier semestre, selon IC Insights. Toutefois, le montant des investissements prévus par le Coréen pour le 2ème semestre demeure inconnu.

Publié dans Conjoncture

Samsung devrait du même coup détrôner Intel à la première place du marché des semi-conducteurs en raison de l'envolée des prix des mémoires Dram et Nand.

Publié dans Conjoncture

Au total, Samsung aura investi plus de 32 milliards de dollars depuis 2014, date à laquelle sa nouvelle méga-usine de mémoires a été mise en chantier à Pyeongtaek, ville située au sud de Séoul dans la province du Gyeonggi, dans le sud du pays.

Publié dans Vie des entreprises

Le sud-coréen lance la production en volume de mémoires flash Nand à empilement vertical sur 64 couches pour de nombreuses applications grand public et professionnelles.

Publié dans Semi-conducteurs

Le sud-coréen inaugure une famille de processeurs à deux coeurs (Cortex-R4 et M0+) optimisés pour les objets connectés.

Publié dans Semi-conducteurs

Le sud-coréen adoptera les EUV pour ses process FinFET à partir du 7 nm et une nouvelle structure de transistor dès le 4 nm, tout en développant une version 18 nm de sa technologie FD-SOI.

Publié dans Semi-conducteurs
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