4,9mΩ pour un transistor Fet 150V en GaN

Le 27/10/2022 à 6:55 par Frédéric Rémond

L’Américain EPC (Efficient Power Conversion) étend sa gamme de transistors Fet en nitrure de gallium (GaN) avec l’EPC2308, un modèle 150V présentant une résistance à l’état passant descendant jusqu’à 4,9mΩ. Ce circuit est encapsulé dans le même boîtier QFN de 3x5mm que les précédents EPC2302 (100V, 1,8mΩ) et EPC2306 (100V, 3,8mΩ) du Californien. Il trouvera par exemple sa place dans les commandes de moteur pour robots et outils électriques, les convertisseurs industriels DC-DC 80/100V, le redressement synchrone 28/54V pour chargeurs et alimentations ou encore les blocs de charge rapide USB pour smartphones. L’EPC2308 est vendu 3,75$ pièce par lots de 1000.

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