La Darpa cofinance la R&D de RF Micro Devices en circuits GaN

Le 22/11/2012 à 0:14 par Frédéric Rémond

L’américain est chargé d’améliorer l’efficacité thermique de circuits GaN utilisés dans les radars. La Darpa vient d’octroyer un contrat de 2,1 millions de dollars à RF Micro Devices pour l’amélioration de l’efficacité thermique de circuits GaN utilisés dans les radars et d’autres systèmes militaires.

Ce contrat s’inscrit dans un programme de la Darpa visant à multiplier par trois la gestion de puissance au sein d’amplificateurs GaN. RFMD utilise notamment sa technologie GaN dans des amplificateurs CATV pour le marché commercial.

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