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Exagan lève 5,7 millions d'euros pour produire des semi-conducteurs de puissance en GaN sur Si

Rédigé par  jeudi, 25 juin 2015 12:32
Exagan lève 5,7 millions d'euros pour produire des semi-conducteurs de puissance en GaN sur Si

Les composants de commutation en GaN sur silicium d'Exagan seront réalisés sur des tranches de 200 mm, contre 100 ou 150 mm aujourd'hui. Avec, à la clé, un prix beaucoup plus compétitif.

Exagan, une jeune société issue d'un essaimage du CEA-Leti et de Soitec, vient de lever 5,7 millions d’euros, à l’occasion de son premier tour de table. Cette manne financière va permettre au grenoblois de produire des commutateurs de puissance haute vitesse en nitrure de gallium sur substrat silicium, destinés au solaire, à l'automobile et aux communications sans fil. Cette annonce fait suite au récent partenariat stratégique engagé avec le fondeur allemand X-Fab Silicon Foundries.

Concrètement, la technologie d'Exagan rend possible la production de puces GaN sur des tranches de silicium de 200 mm (8 pouces), au lieu de 100 mm ou 150 mm aujourd’hui. Avec, vis-à-vis des autres technologies en vigueur, un prix beaucoup plus compétitif pour réaliser des convertisseurs de puissance..

Les investisseurs ont pour noms : Technocom2, CM-CIC Innovation, IRDInov, CEA investissement, et Soitec.

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