Partenariat entre AT&S et Utac en SiP 3D

Le 09/05/2016 à 9:10 par Didier Girault
AT&S

L’encapsulation de type Sytem-in-Package 3D améliore les performances électriques, thermiques et électromagnétiques par rapport à l’encapsulation SiP 2D. Elle permet aussi une plus grande miniaturisation.

AT&S, fabricant autrichien de circuits imprimés, et Utac, spécialiste de l’encapsulation des semi-conducteurs, viennent de signer un accord de partenariat centré sur la fabrication de SiP (System-in-Package) 3D.

Utac apporte son savoir-faire en encapsulation et test de semi-conducteurs, et AT&S, sa technologie de substrats à puces embarquées (Embedded Component Packaging ou ECP).

L’encapsulation de SiP 3D améliore les performances électriques, thermiques et électromagnétiques par rapport à l’encapsulation SiP 2D. Elle permet aussi une plus grande miniaturisation.

« Nous avons évalué diverses technologies mais aucune autre n’offrait une souplesse de conception et une maturité de production égales à celle d’AT&S », a déclaré Asif Chowdhury, senior vice president et directeur marketing d’Utac.
 

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