Le fondeur fait migrer sa technologie BiCmos SiGe 90 nm sur les lignes de production sur tranches de 300 mm de l’usine d’East Fishkill afin de réduire le coût des composants silicium-germanium pour réseaux optiques, infrastructures 5G et radars.
Le fondeur GlobalFoundries vient d’initier le prototypage de circuits dans sa technologie silicium-germanium 9HP sur tranches de 300mm. Offrant des gains de productivité (et donc de prix unitaire) significatifs, l’utilisation de grandes tranches de substrat répond à une forte demande de composants SiGe dans des applications comme les réseaux optiques, les équipements de communication sans fil 5G et les radars automobiles. Jusqu’ici concentrée dans l’usine 200mm de Burlington (Vermont), la fabrication de composants SiGe 90nm du fondeur migre donc vers son usine Fab10 d’East Fishkill (New York). Limitée pour l’heure à la production de prototypes sur tranches multipuces (multi-project wafers ou MPW), la technologie SiGe 9HP 300 mm de GlobalFoundries sera plus largement disponibles au deuxième trimestre 2019, avec un process qualifié et des kits de conception à la clé.
