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Macom et STMicroelectronics accélèrent sur la technologie GaN sur silicium pour soutenir le déploiement des infrastructures 5G

Rédigé par  lundi, 25 février 2019 13:44
Macom et STMicroelectronics accélèrent sur la technologie GaN sur silicium pour soutenir le déploiement des infrastructures 5G CEA

L'expansion des approvisionnements en tranches permettra de réduire les coûts, d'atteindre les volumes nécessaires et de favoriser l'industrialisation de la technologie nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Silicon) nécessaire au déploiement des réseaux 5G dans le monde. L'efficacité et le gain en large bande (WBG) du GaN sur silicium correspondent aux exigences de rendement énergétique et de portée des antennes 5G.

Macom et STMicroelectronics viennent d'annoncer l'expansion, en 2019, de la capacité de production de tranches en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Silicon) en 150 mm dans les usines de fabrication de ST, et en 200 mm en fonction de la demande. Cette expansion a pour but de soutenir le déploiement des infrastructures réseau télécoms 5G dans le monde entier. Ceci s'inscrit par ailleurs dans le prolongement de l'accord signé par Macom et ST début 2018 portant sur le GaN sur silicium.

Le déploiement mondial des réseaux 5G et l'adoption de configurations d'antennes M-MIMO (Massive-MIMO - Multiple Input, Multiple Output) devraient entraîner une augmentation significative de la demande en composants de puissance RF. Macom prévoit notamment que le nombre d'amplificateurs de puissance nécessaires sera multiplié par 32 à 64. De plus, cette hausse devrait multiplier par plus de trois le contenu en dollars des investissements consacrés aux infrastructures 5G au cours d'un cycle de cinq années, avec à la clé, selon les estimations, une division du coût par amplificateur par 10 à 20.

24 juillet 2019

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