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Cette newsletter hebdomadaire est la première de l'année 2019 et retrace les principales informations à retenir de la semaine écoulée. Celle-ci a été marquée par le lancement de la première plate-forme européenne d’intelligence artificielle pilotée par Thales. Le projet AI4EU (Artificial Intelligence for European Union) porté par la Commission Européenne, vient d'être lancé. Il est financé par un budget de 20 millions d’euros.

Autre information importante : le Premier ministre Edouard Philippe a annoncé une enveloppe de 620 millions d'euros visant à accélérer massivement le déploiement du très haut débit dans 17 territoires qui représentent au total plus d’un quart de la population française. Ces engagements contribuent à la généralisation du haut débit partout en France en 2020 et du très haut débit en 2022, portée par un investissement de quelque 3,3 milliards d'euros durant le quinquennat.

Au cours de la semaine passée, l'actualité a également été chargée dans le domaine de la défense : Florence Parly, ministre des Armées, s’est rendue à Palaiseau (Essonne) sur l’un des sites de l’Onera (Office national d’études et de recherches aérospatiales) pour annoncer un financement de 160 M€ pour les études et la recherche aérospatiales et la DGA a notifié 19 projets d'intelligence artificielle pour l’aviation de combat du futur.

A noter aussi la fourniture par Cree de tranches en carbure de silicium à STMicroelectronics pour un montant de 250 M$, la possible remise en cause par la Commission européenne du rapprochement entre Alstom et Siemens dans le domaine du ferroviaire, ainsi que le partenariat conclu entre NXP et Kalray  pour sécuriser et faibiliser les véhicules autonomes.

Publié dans Editos

Cree et STMicroelectronics annoncent un accord pluriannuel portant sur la fourniture de tranches en carbure de silicium qui a pour objectif d'accélérer le développement commercial du SiC dans les applications automobiles et industrielles.

Publié dans Vie des entreprises

Framatech organise un séminaire sur ce thème, les 5 et 6 février 2018, à Marseille.

Publié dans Vie des entreprises

La famille UF3C Fast de l'américain s'enrichit de cinq modèles de 650V et 1200V dont le boîtier TO-247 est doté d'une quatrième broche faisant office de connexion Kelvin au niveau de la source.

Publié dans Semi-conducteurs

Les Fet en boîtiers TO-247-3L de la série série UF3C Fast constituent une solution de remplacement aux IGBT et aux Mosfet en silicium ou en carbure de silicium

Publié dans Semi-conducteurs

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Infineon mettra à profit la technologie originale de la start-up pour pratiquement doubler le nombre de puces par tranche de SiC

Publié dans Vie des entreprises

Ce fondeur de silicium a acheté un deuxième implanteur ionique pour son usine texane de Lubbock.

Publié dans Vie des entreprises

L'américain annonce de nouvelles diodes Schottky de 650V et 1200V en carbure de silicium, qualifiées AEC-Q101 pour l'environnement automobile.

Publié dans Semi-conducteurs

Il est ici question de diodes Schottky "CoolSiC" de cinquième génération améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l'industrie automobile.

Publié dans Semi-conducteurs

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

Publié dans Semi-conducteurs
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