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Les Fet en boîtiers TO-247-3L de la série série UF3C Fast constituent une solution de remplacement aux IGBT et aux Mosfet en silicium ou en carbure de silicium

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Infineon mettra à profit la technologie originale de la start-up pour pratiquement doubler le nombre de puces par tranche de SiC

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Ce fondeur de silicium a acheté un deuxième implanteur ionique pour son usine texane de Lubbock.

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L'américain annonce de nouvelles diodes Schottky de 650V et 1200V en carbure de silicium, qualifiées AEC-Q101 pour l'environnement automobile.

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Il est ici question de diodes Schottky "CoolSiC" de cinquième génération améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l'industrie automobile.

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L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

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Avec cet investissement, Mersen étoffe son portefeuille de dispositifs de protection contre les surintensités et les surtensions, réalisés à partir de semi-conducteurs en carbure de silicium.

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Ces transistors remplacent avantageusement les Mosfet et les IGBT en silicium pour permettre une commutation ultra-rapide dans les systèmes de conversion d'énergie.

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Réalisée en collaboration avec Microsemi, la carte proposée par Analog Devices permet d'évaluer les modules de puissance en configuration demi-pont jusqu'à 1200 V/50 A

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Les transistors Fet de 650 V en carbure de silicium de la série UJ3C de  l'américain UnitedSiC requièrent un circuit de commande de grille standard.

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15 septembre 2019
13 septembre 2019
12 septembre 2019
11 septembre 2019
10 septembre 2019

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