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L’américain lance une série de diodes Schottky SiC de 650V couvrant la plage 6A à 50A. Les versions sont proposées en boîtiers CMS ou à broches traversantes.

Publié dans Semi-conducteurs
La fourniture par Cree de tranches SiC de six pouces à l'allemand va permettre à ce dernier d’élargir son offre de produits de puissance, afin de répondre aux besoins des marchés en forte croissance.
Publié dans Vie des entreprises

Le remplacement des diodes bipolaires classiques par les dernières diodes Schottky SiC GEN2 de la société a pour effet de diminuer drastiquement les pertes en régime de commutation.

Publié dans Semi-conducteurs

Par rapport à la génération précédente de diodes Schottky CoolSiC 650V de l'allemand , le facteur de mérite a été amélioré de 17%.

Publié dans Semi-conducteurs

Les RxxP21503D de Recom sont conçus pour fournir les tensiosn asymétriques requises pour commuter efficacement les Mosfet de puissance en carbure de silicium.

Publié dans Energie

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Les deux derniers modules, avec Mosfet et diodes Schottky en carbure de silicium, du japonais sont des modèles de 1200 V/400 A et 1200 V/600 A.

Publié dans Semi-conducteurs

Proposées dans des boîtiers TO-220-2L et TO-252-2L, les diodes Schottky GEN2 de Littelfuse offrent des pertes en commutation bien moindres que les diodes bipolaires traditionnelles en silicium.

Publié dans Semi-conducteurs

Le module de puissance Easy 1B met à profit les Mosfet CoolSic 1200V en carbure de silicium de l'allemand.

Publié dans Semi-conducteurs

La société a investi 15 millions de dollars supplémentaires dans Monolith Semiconductor, une startup-up texane spécialisée dans le développement de composants de puissance en carbure de silicium.

Publié dans Vie des entreprises

Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

Publié dans Semi-conducteurs
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10 septembre 2019

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