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Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

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Par la voix du CFIUS, le comité en charge des investissements étrangers aux Etats-Unis, les autorités américaines estiment qu'une telle opération présenterait un risque pour la sécurité intérieure du pays.

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Proposé sous la forme d'une puce nue, le Mosfet canal N CPM3-0900-0010A est crédité d'une résistance à l'état passant de 10mOhms seulement.

Publié dans Semi-conducteurs
mardi, 11 octobre 2016 13:02

Le Mosfet en SiC monte en tension

Avec sa tension de blocage de 1000V, le C3M0065100K de Wolfspeed cible les systèmes de recharge pour les véhicules électriques et les alimentations triphasées industrielles.

Publié dans Semi-conducteurs

Conçu pour les applications industrielles, ce Mosfet à forte tension de claquage affiche des pertes de conduction bien inférieures à celles de ses homologues en silicium.

Publié dans Semi-conducteurs
lundi, 18 juillet 2016 11:18

Infineon s'offre Wolfspeed pour 850 M$

L'allemand fait main basse sur une filiale de Cree, spécialisée dans les composants et modules à base de semi-conducteurs composés à grand gap (SiC et GaN), susceptibles d'adresser un large spectre d'applications de puissance et RF.

Publié dans Vie des entreprises

Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

Publié dans Semi-conducteurs

Vis-à-vis des diodes bipolaires en silicium traditionnelles, les diodes en SiC de Littelfuse offrent un temps de recouvrement négligeable, un courant de fuite inférieur et une meilleure tenue aux surtensions.

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Par rapport à la génération précédente de diodes Schottky du japonais, la densité de puissance a été augmentée jusqu'à 50%.

Publié dans Passifs

La diode FFSH40120ADN de l'américain est notamment destinée aux onduleurs solaires et aux applications industrielles.

Publié dans Passifs
3 décembre 2020
2 décembre 2020
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