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Cette acquisition renforcera l’expertise de ST dans le GaN et accélérera son activité et sa feuille de route pour les applications de puissance et de fréquences élevées, dans l’automobile, l’industriel et l’électronique grand public.

Publié dans Vie des entreprises

La société a dévoilé le GAN063-650WSA, son premier transistor Fet de 650V à base de nitrure de gallium pour les marchés automobile et industriel, ainsi que pour les infrastructures télécoms.

Publié dans Semi-conducteurs

L'allemand annonce deux transistors CoolGaN de 400V et 600V, pour les amplificateurs audio en classe D et les applications de petite et de moyenne puissance, respectivement.

Publié dans Semi-conducteurs

Renesas a initié la production d'un contrôleur PWM et d'un pilote de transistor FET GaN en boîtiers plastiques et durcis aux radiations, à destination des satellites en orbite basse.

Publié dans Semi-conducteurs

La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

Publié dans Vie des entreprises
  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.
Publié dans Vie des entreprises

Les deux derniers Fet à enrichissement de 100V et 200V du califonien sont proposés sous la forme de puces passivées de faibles dimensions.

Publié dans Semi-conducteurs

Le PE15A5033F, avec ventilateur et radiateur, de Pasternack, fait appel à une technologie GaN pour des performances large bande améliorées.

Publié dans Rf/Hyper

Avec le DA8801, la société a dévoilé un circuit de commutation de puissance faisant appel à une technologie GaN, typiquement destiné aux chargeurs rapides pour smartphones et ordinateurs portables.

Publié dans Semi-conducteurs

Un tel investissement va lui permettre de construire la première ligne de production européenne de circuits GaN sur des tranches de diamètre six pouces. Située à Limeil-Brévannes, cette unité sera opérationnelle à la mi-2017.

Publié dans Vie des entreprises
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