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Les derniers Mosfet U-MOS-IX-H de la société offrent de faibles valeurs de résistance à l'état passant, soit de 3,1 à 6,7mOhms.

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lundi, 25 septembre 2017 08:46

Nexperia muscle ses Mosfet pour l'automobile

Qualifiés AEC-Q101, les derniers Mosfet à superjonction en boîtier LFPAK56E de la société sont une alternative moins encombrante aux modèles en boîtiers DPAK et D²PAK.

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Par rapport au boîtier DPAK, le SOT-223 présente un intérêt essentiellement économique. Des versions de CoolMOS P7 de 600V, 700V et 800V en SOT-223 sont déjà disponibles.

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Optimisé pour les IGBT et les Mosfet, le SID1183K fait appel à une technologie magnéto-inductive qui évite l'usage de photocoupleurs.

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Les TPH6R30ANL et TPH4R10ANL du japonais sont des Mosfet de 100V commandés par une tension de niveau logique 4,5V.

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Les StrongIRFET 40V en boîtier D2PAK 7pin+ de l'allemand offrent une résistance à l'état passant de 0,65 mOhm seulement.

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Proposé dans un boîtier dLe 2x2mm, le SiA468DJ affiche une résistance à l'état passant de 8,4mOhms, pour un courant de drain de 37,8A.

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Les Mosfet de puissance en boîtier LFPAK33 annoncés par la société affichent une empreinte de 10,9mm², bien inférieure à celle d'un transistor au format DPAK.

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Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

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Exploitant le process en tranchée U-MOS IX-H de la société, les derniers Mosfet de 40V et 45V de Toshiba sont crédités d'un excellent facteur de mérite.

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