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Cette série de Mosfet à faible résistance à l'état passant couvre la plage 42 à 195A (courant de drain à 25°C).

Publié dans Semi-conducteurs

Le boîtier miniature DSOP Advance dont bénéficieront certains Mosfet de la société permettra de gagner de la place sur la carte et d'améliorer la dissipation thermique.

Publié dans Semi-conducteurs

Malgré leurs faibles dimensions de 10x3,8x2,1mm, les TLP5701/2 de Toshiba offrent une isolation minimale de 5000Veff.

Publié dans Semi-conducteurs

Grâce au cloud, le "Web Simulator" de Toshiba permet aux différentes équipes de conception de partager données et projets, quelle que soit leur localisation géographique.

Publié dans Semi-conducteurs

Les TLP5751/2/4 de Toshiba sont présentés dans des boîtiers SO6L dont l'épaisseur est de 54% inférieure à celle des modèles DIP8 traditionnels.

Publié dans Semi-conducteurs

Si en 2013 Infineon a confirmé sa position de leader sur le marché des semi-conducteurs de puissance, c'est surtout sur le créneau des Mosfet que l'allemand a progressé, estime IHS.

Publié dans Conjoncture

Les transistors, canal N ou canal P, de la série XTR2N0x de X-REL Semiconductor fonctionnent entre -60°C et +230°C.

Publié dans Semi-conducteurs

La génération U-Mos IX-H abaisse la résistance drain-source à l'état passant et la charge de grille des Mosfet 40 V.

Publié dans Semi-conducteurs

Conçus pour les applications industrielles, les derniers Mosfet 60V de la société offrent une ultra-faible résistance à l'état passant.

Publié dans Semi-conducteurs

Fournissant deux sorties pour alimenter les côtés haut et bas d'une circuiterie de commande de Mosfet/IGBT, les modules de la série MGJ2 de Murata offrent une isolation renforcée de 5,2kVdc.

Publié dans Energie
26 janvier 2021
25 janvier 2021
24 janvier 2021
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