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L'américain introduit six nouveaux Mosfet en versions 20V, 25V ou 30V, en boîtiers PQFN ou DirectFET à refroidissement par la face supérieure.

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Au nombre de quatorze, les NexFET de l'américain couvrent la plage 40V à 100V. Les applications de commande moteur à fort courant sont essentiellement visées.

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Encapsulés dans un boîtier de 0,6x0,6x0,36 mm, les Mosfet annoncés par la société sont typiquement conçus pour les produits mobiles et portables, affichant de fortes contraintes d'encombrement.

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Ces Mosfet de puissance de moyenne tension (100 V) pour le milieu automobile, proposés en boîtiers PowerPAK SO-8L ou DPAK, offrent des résistances à l'état passant très basses.

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Proposés dans des petits boîtiers de 3 mm de côté, les FDMC86xxxP permettent de réduire la dissipation de puisance jusqu'à hauteur de 50 %.

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Optimisé pour les applications de commutation de charge et de batterie, le dernier TrenchFET de Vishay affiche une résistance à l'état passant de 1,6 mOhm à -10 V.

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Ces doubles TrenchFET sont proposés dans un format asymétrique afin de diminuer la résistance statique du transistor côté bas.

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Les trois Mosfet de puissance de la série AP4034 sont des versions canal N de 30 V proposés dans différents boîtiers, selon le rapport coût sur performance recherché.

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Le dernier Mosfet 30 V en boîtier de 5x6 mm du taïwanais Advanced Power Electronics affiche une résistance maximale à l'état passant de 0,99 mOhm.

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La société introduit des Mosfet de puissance en petits boîtiers, dont la vocation est de remplacer les composants traditionnels au format DPAK ou SOP-8.

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22 janvier 2021
21 janvier 2021
20 janvier 2021
19 janvier 2021
18 janvier 2021

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Connect Core 6 UL - Digi Elaboré sur le processeur d'application NXP i.MX6UL, le Connect Core 6 UL est le moteur de communication [...]
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