L'un des principaux facteurs de croissance de ce marché est la demande croissante de composants RF pour smartphones. En raison de la pénétration croissante des technologies LTE, le besoin de semi-conducteurs RF augmente.

Cette acquisition renforcera l’expertise de ST dans le GaN et accélérera son activité et sa feuille de route pour les applications de puissance et de fréquences élevées, dans l’automobile, l’industriel et l’électronique grand public.

Cette collaboration accélèrera le développement et le lancement sur le marché de solutions de puissance avancées en nitrure de gallium (GaN). Elle s’appuie sur l’expertise de ST sur le marché de l’automobile et le leadership de TSMC en tant que fondeur de semiconducteurs. Elle permettra d’améliorer l’efficacité en large bande pour un meilleur rendement énergétique des applications de conversion de puissance.

La société a dévoilé le GAN063-650WSA, son premier transistor Fet de 650V à base de nitrure de gallium pour les marchés automobile et industriel, ainsi que pour les infrastructures télécoms.

Les modules de conversion DC-DC au format quart de brique de la série AGQ500 d’Artesyn Embedded Power ciblent les amplificateur RF de puissance au nitrure de gallium des stations de base.

L'allemand annonce deux transistors CoolGaN de 400V et 600V, pour les amplificateurs audio en classe D et les applications de petite et de moyenne puissance, respectivement.

Les derniers membres de la famille InnoSwitch3 intègrent des commutateurs de puissance au nitrure de gallium. Ce qui se traduit par des gains appréciables en termes de rendement et de compacité d'un adaptateur AC-DC.

Ce centre de support au développement d’applications de conversion d’énergie, tirant profit des semiconducteurs de puissance en GaN sur silicium du grenoblois, fonctionnera en étroite collaboration avec CEA Tech.

Future Electronics vient de présenter la carte de référence GaNdalf à très haut rendement.

La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.