Les derniers membres de la famille InnoSwitch3 intègrent des commutateurs de puissance au nitrure de gallium. Ce qui se traduit par des gains appréciables en termes de rendement et de compacité d'un adaptateur AC-DC.

Ce centre de support au développement d’applications de conversion d’énergie, tirant profit des semiconducteurs de puissance en GaN sur silicium du grenoblois, fonctionnera en étroite collaboration avec CEA Tech.

Future Electronics vient de présenter la carte de référence GaNdalf à très haut rendement.

La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

Les pilotes de grille LMG1020 et LMG1210 de Texas Instruments ciblent notamment les lidars et les convertisseurs DC-DC dont la fréquence de découpage atteint 50MHz.

Cette acquisition va notamment permettre à Wolfspeed, la filiale de Cree, de renforcer sa position dans le domaine des technologies RF GaN sur SiC. Le montant de la transaction s’élève à 345 millions d’euros environ.

Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.

  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.

Réalisé selon sa technologie UltraCMOS, le driver PE29102 de Peregrine Semiconductor entend améliorer les performances des amplificateurs audio fonctionnant en classe D.