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Couvrant la bande 0,3 à 6GHz, le MMIC HMC8205BF10 d'Analog Devices délivre 35W avec un rendement de 38% et un gain de 20dB.

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Les deux derniers Fet à enrichissement de 100V et 200V du califonien sont proposés sous la forme de puces passivées de faibles dimensions.

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Par la voix du CFIUS, le comité en charge des investissements étrangers aux Etats-Unis, les autorités américaines estiment qu'une telle opération présenterait un risque pour la sécurité intérieure du pays.

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Les clients de la société sont désormais à même de modéliser leurs systèmes à l'aide de simulations Spice.

Publié dans Semi-conducteurs

La plate-forme de GaN Systems permet d'évaluer les performances et de concevoir des étages de puissance exploitant les transistors en nitrure de gallium de la société.

Publié dans Semi-conducteurs

Le transistor de 220W en GaN du japonais va permettre d'augmenter le rendement et diminuer la taille des amplificateurs de puissance fonctionnant dans la bande des 2,6GHz.

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Avec le DA8801, la société a dévoilé un circuit de commutation de puissance faisant appel à une technologie GaN, typiquement destiné aux chargeurs rapides pour smartphones et ordinateurs portables.

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lundi, 18 juillet 2016 11:18

Infineon s'offre Wolfspeed pour 850 M$

L'allemand fait main basse sur une filiale de Cree, spécialisée dans les composants et modules à base de semi-conducteurs composés à grand gap (SiC et GaN), susceptibles d'adresser un large spectre d'applications de puissance et RF.

Publié dans Vie des entreprises

Une offre déclinée en différents modèles de 15 à 600W crête, destinés à couvrir les principales bandes de fréquence cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz.

Publié dans Rf/Hyper

Conçus pour couvrir les bandes cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz, ces transistors en GaN de quatrième génération offrent notamment des gains en rendement et en bande passante par rapport aux LDMOS.

Publié dans Rf/Hyper
1 mars 2021
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