Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W.

Par rapport à l'existant en LDMOS, les gains en rendement et en densité de puissance obtenus vont permettre de compacter les amplificateurs de puissance des émetteurs des stations de base cellulaires.

Référencé NPT2024, ce transistor en boîtier plastique standard est un modèle large bande (DC à 2,7GHz) capable de délivrer 200W sous 50V en régime saturé.

L'ensemble de ces amplificateurs connectorisés couvre la bande de fréquence 30MHz-7,5GHz, alors que la puissance fournie en régime saturé est comprise entre 10W et 100W.

La nouvelle entité, spécialisée dans les composants et modules faisant appel à des semi-conducteurs à grand gap (SiC et GaN), porte le nom de Wolfspeed.

Xsystor conçoit, fabrique et commercialise des éléments de base en nitrure de gallium destinés à faciliter la conception et la réalisation d’amplificateurs RF et hyper.

Le commutateur de puissance 650V/50A de l’israélien VisIC Technologies est crédité d’une résistance à l’état passant de 12mOhms seulement.

Le spécialiste des composants de puissance en GaN pour la conversion d’énergie a levé 70 millions de dollars auprès d’un groupe d’investisseurs emmené par KKR.

Les composants de commutation en GaN sur silicium d'Exagan seront réalisés sur des tranches de 200 mm, contre 100 ou 150 mm aujourd'hui. Avec, à la clé, un prix beaucoup plus compétitif.

Le japonais va lancer des transistors à enrichissement de 600V, en GaN sur silicium, dont l’empreinte sur la carte est de 8x8mm seulement.