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Les TGA281x-SM en boîtiers QFN de l’américain délivrent entre 30 et 100W, en mode pulsé dans la bande S.

Publié dans Rf/Hyper

La technologie GaN sur silicium de prochaine génération de l’américain permettrait d’obtenir des performances équivalentes, en termes de rendement et de gain, à celles obtenues avec du GaN sur SiC, les faibles coûts de production en volume en prime.

Publié dans Rf/Hyper

Dans les applications de puissance, le facteur coût ne serait dès lors plus à un obstacle à l’adoption des transistors en GaN pour remplacer les Mosfet en silicium.

Publié dans Semi-conducteurs

Nouveau membre de la famille EZ-GaN de Transphorm, le TPH3205WS affiche une résistance à l’état passant de seulement 63mOhms.

Publié dans Semi-conducteurs

Particulièrement robustes, les MAGX-000912-650L0x de Macom sont conçus pour les radars fonctionnant dans la bande L.

Publié dans Rf/Hyper

Réalisé selon une technologie GaN sur SiC, le transistor de 125W de Freescale permet le remplacement de plusieurs amplificateurs de puissance par un seul large bande.

Publié dans Rf/Hyper
mercredi, 10 septembre 2014 07:36

Mouser distribue GaN Systems dans le monde

GaN Systems est spécialisé dans les transistors de puissance au nitrure de gallium.

Publié dans Vie des entreprises

Au nombre de six, les Fet de puissance eGaN de nouvelle génération de l'américain sont proposés dans la gamme 30V à 200V.

Publié dans Semi-conducteurs

L'offre de l'américain inclut un transistor de 300W à 2,7GHz, de moitié moins onéreux que son équivalent GaN en boîtier céramique.

Publié dans Rf/Hyper

Les derniers transistors en GaN du canadien sont des modèles de 100 V ou 650 V, entre autres destinés aux alimentations à découpage, aux convertisseurs DC-DC, aux onduleurs et à la commande de moteurs AC.

Publié dans Energie
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